東芝推出全球首款^注148層3D堆疊式結構閃存^注2，該閃存容量達到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應用，包括消費級固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、智能手機、平板電腦和內存卡以及面向數據中心的企業(yè)級SSD。據悉，樣品將于9月開(kāi)始發(fā)貨。

東芝全球首款全球首款256Gb、48層堆疊閃存BiCS FLASH™

東芝BiCS FLASH™采用目前世界最尖端的48層堆疊工藝，超越主流2D NAND閃存的容量，同時(shí)提高了可寫(xiě)入/擦除次數及可靠性，并提高了寫(xiě)入速度。

自2007年在全球首次推出了3D堆疊式結構閃存以來(lái)^注3，東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產(chǎn)的研發(fā)。為更好地滿(mǎn)足快速增長(cháng)的閃存市場(chǎng)需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領(lǐng)域，積極推動(dòng)3D堆疊式結構閃存，推出SSD等產(chǎn)品組合。

東芝于1987年在世界上最早開(kāi)發(fā)出NAND閃存，作為閃存世界的締造者，一直秉承專(zhuān)業(yè)的精神，為消費者提供高速、優(yōu)質(zhì)的專(zhuān)業(yè)閃存體驗。目前，這一產(chǎn)品在東芝四日市工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)，預計于2016年上半年完工的新工廠(chǎng)也將生產(chǎn)該產(chǎn)品。

注1：據東芝調查。

注2：一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存（存儲單元位于硅基板上），極大地提高了密度。

注3：據2007年6月12日東芝發(fā)布資料

* BiCS FLASH™是東芝公司的商標。